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超低损耗G.652光纤

作为烽火通信长期创新的光纤产品,烽火通信超低损耗G.652光纤(ULL)在目前系列单模光纤中1550nm波长窗口具有低的衰减损耗,衰减在0.17dB/km以内。基于烽火自主的PCVD沉积工艺,水峰引起的光纤衰减得到显著抑制,优化的光纤折射率剖面还为光纤带来了优异的抗宏/微弯性能,适宜于更轻便的光缆设计与制造。

超低损耗G.652光纤

作为烽火通信长期创新的光纤产品,烽火通信超低损耗G.652光纤(ULL)在目前系列单模光纤中1550nm波长窗口具有低的衰减损耗,衰减在0.17dB/km以内。基于烽火自主的PCVD沉积工艺,水峰引起的光纤衰减得到显著抑制,优化的光纤折射率剖面还为光纤带来了优异的抗宏/微弯性能,适宜于更轻便的光缆设计与制造。

产品应用

产品应用

产品特点

产品参数

超低损耗G.652光纤 (ULL)特性
特性条件数据单位
光学特性
衰减1310nm≤0.31dB/km
1550nm≤0.17dB/km
1625nm≤0.20dB/km
相对波长的衰减变化1285~1330nm 相对1310nm≤0.03dB/km
1525~1575nm 相对1550nm≤0.02dB/km
色散系数1550nm≤18ps/(nm.km)
1625nm≤22ps/(nm.km)
零色散波长
1300~1324nm
零色散斜率
≤0.092ps/(nm².km)
单根光纤PMD最大值
≤0.1ps/√km
光缆截止波长λcc
≤1260nm
模场直径MFD1310nm9.1±0.4μm
1550nm10.3±0.5μm
衰减不连续性1310nm≤0.05dB
1550nm≤0.05dB
几何特性
包层直径
125±0.7μm
包层不圆度
≤1.0%
涂层直径
245±10μm
涂层/包同心度误差
≤12.0μm
芯/包同心度误差
≤0.6μm
翘曲度(半径)
≥4m
环境特性(1310nm&1550nm&1625nm)
温度附加衰减-60℃ ~+85℃≤0.05dB/km
温度~湿度循环附加衰减-10℃ ~+85℃,4%~98%相对湿度≤0.05dB/km
浸水附加衰减23℃,30天≤0.05dB/km
湿热附加衰减85℃和85%相对湿度,30天≤0.05dB/km
干热老化85℃,30天≤0.05dB/km
机械特性
筛选张力
≥9.0N
宏弯100圈Ф60mm1550nm≤0.05dB
宏弯100圈Ф60mm1625nm≤0.05dB
宏弯1圈Ф32mm1550nm≤0.05dB
宏弯1圈Ф32mm1625nm≤0.05dB
剥离力平均值1.0~5.0N
峰值1.3~8.9N
动态疲劳参数
≥20
交货长度2.1~25.2km/盘